بررسی جابجایی عرضی گوس- هانچن در بلورهای حاوی مواد تک محوری

پایان نامه
  • وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک
  • نویسنده ندا حقیقی
  • استاد راهنما ابراهیم صفری
  • تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
  • سال انتشار 1390
چکیده

در این پایان نامه جابجایی گوس- هانچن در بازتاب از بلورهای فوتونیکی حاوی متامواد و مواد تک محوری مطالعه شده است. بلورهای فوتونیکی به شکل بلورهای یک- بعدی، نیمه بینهایت، و تمامی لایه ها بصورت همسانگرد، همگن و بدون اتلاف در نظر گرفته شده است. در سطح مشترک بین محیط راستگرد و متامواد امواج سطحی تولید می شوند. این امواج انرژی پرتو را در راستای سطح مشترک دو محیط جابجا می کنند به همین دلیل مرکز پرتو تابشی و مرکز پرتو بازتابی بر هم منطبق نخواهد بود، بلکه مقداری فاصله خواهد داشت .این فاصله جابجایی گوس- هانچن نام دارد. امواج سطحی پیشرو انرژی پرتو فرودی را در راستای سطح، روبه جلو انتقال می دهند، و باعث جابجایی گوس- هانچن مثبت می شوند. در حالیکه امواج سطحی پسرو انرژی پرتو فرودی را در راستای سطح، روبه عقب منتقل می کنند و باعث جابجایی گوس- هانچن منفی می شوند. در این پایان نامه به بررسی، جابجایی گوس- هانچن در بازتاب ازفصل مشترک متاماده چپگرد و محیط راستگرد، جابجایی گوس- هانچن در بازتاب از مرز محیط چپگرد و بلور فوتونیکی همسانگرد، جابجایی گوس- هانچن در عبور از بلوری حاوی مواد تک محوری، پرداخته شده است. همچنین تاثیر حضور متاماده ی ناهمسانگرد بر جابجایی گوس- هانچن در بازتاب از مرز محیط چپگرد و بلور فوتونیکی ناهمسانگرد، مورد بررسی قرار گرفته است.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

تونل زنی فوتونی در بلورهای فوتونیکی متا مواد تک منفی

در این مقاله ما تونل زنی فوتونی را از طریق ساختارFTIRبررسی میکنیم ساختارFTIRشامل بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی یک بعدی است که بوسیله تکرار دوره ای و تناوبی از لایه هایو PIMNIM تشکیل شده است. ما یک دوره از لایه های مواد با ضریب شکست مثبت ومواد با ضریب شکست منفی را همانند یک ساختار در نظر می گیریم.وتونل زنی را برای این حالت بررسی میکنیم. سپس ما تغییرات بعد ازتونل زنی را بیشتر تحلیل می کنیم و زمان...

متن کامل

مطالعه‎ی اثر نقص بر جابه‎جایی گوس–هانچن در بلورهای فوتونی یک بعدی در حضور متا‎ماده

متامواد چپگرد مواد مصنوعی هستند که ضرایب گذردهی الکتریکی و تراوایی مغناطیسی آنها به طور همزمان منفی بوده و دارای ضریب شکست منفی هستند. حضور این مواد در ساختارهای بلورهای فوتونیکی سبب پدیده های اپتیکی جالبی شده است. به همین خاطر در این پایان نامه اثر لایه نقص در ساختار شامل متاماده را بر جابجایی گوس هانچن مطالعه نمودیم. بلور فوتونیکی مورد مطالعه به شکل یک بعدی نیمه بینهایت، و تمامی لایه‎ها بصورت...

15 صفحه اول

مطالعه ی جابجایی گوس هانچن و ایمبرت فدروف در انعکاس باریکه نوری

وقتی باریکه نوری از یک سطح مسطحی انعکاس می یابد، رفتار آن از پیشگویی های اپتیک هندسی )قوانین بازتابش (متفاوت خواهد بود. این اختلاف به جابجایی فضایی گوس هانچن و جابجایی زاویه ای ایمبرت فدروف معروف است. جابجایی گوس هانچن می¬تواند مقادیر مثبت یا منفی باشد. معمولاً این جابجایی کمتر از پهنای پرتو فرودی و همواره در امتداد مولفه موازی سطح بردار موج، اتفاق می افتد. هردو نوع جابجایی به عوامل مختلفی از جم...

15 صفحه اول

تونل زنی فوتونی در بلورهای فوتونیکی متا مواد تک منفی

در این مقاله ما تونل زنی فوتونی را از طریق ساختارftirبررسی میکنیم ساختارftirشامل بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی یک بعدی است که بوسیله تکرار دوره ای و تناوبی از لایه هایو pimnim تشکیل شده است. ما یک دوره از لایه های مواد با ضریب شکست مثبت ومواد با ضریب شکست منفی را همانند یک ساختار در نظر می گیریم.وتونل زنی را برای این حالت بررسی میکنیم. سپس ما تغییرات بعد ازتونل زنی را بیشتر تحلیل می کنیم و زمان...

متن کامل

سونش شیمیایی تک بلورهای CdTe و CdSe

Single crystats of CdTe and CdSe have been grown by vapcr pnase deposition . Crystals grown in the from of platelets were studied by X-ray diffraction Laue method. It was found llial the faU;:) of O1Te with zincblcndc structure are of {tIl} type and tbose ofCdSe with wunlile structure are of {l120} or {IOIO} types. Platelets of CdTe have one smooth face and one rough face which can be dist...

متن کامل

بررسی اثر هارتمن در بلورهای فوتونی حاوی شبه مواد

در سال 1962 هارتمن در راستای مطالعات خود عبارتی تحلیلی را برای تاخیر زمن (تاخیر گروه یا زمان فازی) در تونل زنی از مانع بدست آورد این زمان عبور دارای مقدار محدود و کوتاهی بود که متناسب با فاصله ی انتشار اشباع می شد. به این معنی که برای موانع به اندازه ی کافی ضخیم تاخیر زمانی مستقل از ضخامت مانع می شود. این اثر که بعدها اثر هارتمن نامیده شد به سرعت های فرانوری در داخل موانع اشاره دارد و با مشاهدا...

15 صفحه اول

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک

کلمات کلیدی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023